PROBLEMAS DE MEMORIA

En la actualidad, para la grabación de los circuitos integrados sobre las obleas de silicio, no se utiliza la radiación de la luz utravioleta, sino rayos de electrones o rayos X que permiten una mayor resolución y por lo tanto una grabación más precisa. Este cambio en la naturaleza de la radiación luminosa utilizada para la grabación ha supuesto un aumento de la capacidad en casi un factor de 100 con respecto a los circuitos integrados fotolitografiados tradicionalmente.

Como cabe pensar todo tiene un límite y según nos acercamos a ese límite, es posible que comiencen a aparecer los problemas irresolubles de la integración a una menor escala.
Respecto a la reducción del tamaño, el primer problema que aparece es la necesidad de disipar el calor generado por todos los componentes electrónicos que se encuentran integrados sobre el sustrato de silicio. El problema del calor se agudiza con la velocidad: a mayor velocidad de funcionamiento, mayor temperatura. Para mejorar la disipación de temperatura se utilizan recubrimientos cerámicos que conducen mejor el calor que los recubrimientos plásticos. En algunos ordenadores modernos de altas características se utiliza agua o nitrógeno líquido para refrigerar los circuitos. Hay que tener en cuenta que la temperatura máxima de una unión en funcionamiento suele rondar los 159° C. y por encim a de dicha temperatura el circuito se destruye. Otro problema derivado de la elevada densidad de integración es el del patillaje:
cuanto más complejo y versátil sea el circuito más patillas se necesitarán y todas dispuestas en un reducido espacio. Cuanto mayor es la integración, menor es el tamaño de los componentes y por lo tanto más finas las capas que lo componen.
El principal problema que se deriva de este reducido tamaño proviene de las descargas estáticas o las sobretensiones y cuanto mayor es la integración, más posibilidades existen de que una descarga deteriore el circuito o funda uno de los finos hilos de conexión entre los elementos del circuito.