FORMAS DE CONTENER LA INFORMACION EN LAS MEMORIAS

Para almacenar la información, la memoria utiliza dos procedimientos diferenciados. El primero consiste en almacenarla a través de una carga y el segundo a través de los circuitos lógicos biestables. Existen otros medios a través de los cuales la memoria puede almacenar la información y éstos se explican a contiuación.

COMO CARGA Y COMO CAMPOS MAGNETICOS

El primer método es el utilizado por las memorias RAM dinámicas.
En este caso, los datos se almacenan en forma de pequeña carga en condensador diminuto.
Este condensador se encuentra asociado a un transistor, de forma que cuando el condensador está cargado, el transistor se comporta como un interruptor cerrado, permitiendo el paso de la corriente de alimentación del circuito salida de datos y generando por lo tanto un 1.
Por el contrario, cuando el condensador no está cargado, el transistor permite el paso de la corriente de alimentación y en consecuencia a la salida no se obtendrá ninguna tensión, con lo que se asimila al 0 lógico.
La principal ventaja del almacenamiento en forma de carga es que solamente se necesitan dos elementos que son un condensador y un transistor para cada celda, con lo que se pueden lograr grandes densidades de información en un mismo circuito.
Gracias a esta tecnología se han logrado memorias RAM de tamaño reducido que permiten almacenar hasta 1 Megabyte, o lo que es lo mismo, disponer de 8 Megabits de información.
Esta densidad de información sería impensable con biestables, ya que para obtener el mismo resultado con este tipo de componentes serían necesarios más de 48 millones de transistores frente a los 8 millones, necesarios para almacenar la información como carga.
Pero no todo son ventajas.
El principal problema de los condensadores es que pierden la información con el tiempo, debido a las fugas que se producen; además hay que tener en cuenta que la carga que se puede almacenar en un condensador integrado, es muy pequeña, únicamente unos millones de electrones.
Por este motivo, se hace necesario "refrescarle" la memoria a estas celdas.
El refresco de memoria se suele realizar al menos una vez cada 2 milisegundos y de ello se encargan unos circuitos especialmente diseñados para efectuar este proceso. Para facilitar el trabajo, hay memorias que refrescan su información únicamente seleccionando la dirección adecuada y activando una señal de control para el refresco. Como se puede ver, es tan sencillo como la lectura, pero sin obtener el dato en el bus de datos.
Cabe destacar que la memoria puede almacenar la información también mediante el método de carga bloqueada.
Este es el sistema utilizado por las memorias ROM y es muy similar al sistema anterior pero, en este caso, aunque la constitución de la celda mantiene la carga durante mucho tiempo, existe el inconveniente de que una vez grabada, es necesario un proceso especial para borrar la información contenida en la celda.
El sistema de lectura de los datos es muy similar al anterior: en función de la presencia o no de la carga, el circuito asociado presenta o no un 1 lógico en la salida de datos.
Por último, el sistema de campos magnéticos se emplea para almacenar la información en las memorias de burbuja magnética.
En este caso la información se almacena en forma de campo magnético sobre una pieza sólida del tamaño de un circuito integrado, de manera semejante a como se graba la información en una cinta magnetofónica, pero con la ventaja de no necesitar elementos mecánicos para recuperar la información.
En este caso la información se recupera en forma de corriente inducida por los campos magnéticos sobre unas bobinas.
Este tipo de memorias son RAM y tienen la ventaja de que permiten mantener la información aunque se desconecte la alimentación.
Al mismo tiempo tienen el problema de poseer una gran lentitud de acceso a la hora de leer o escribir sobre ellas.